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| Numero di parte | ATP301-TL-H |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 14A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ATPAK |
| Pacchetto / caso | ATPAK (2 leads+tab) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ATP301-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK | - | 0 | Dettagli |
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ATP302-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK | - | 0 | Dettagli |
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ATP304-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK | - | 0 | Dettagli |