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Numero di parte | ATP216-TL-H |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 20V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 18A, 4.5V |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ATPAK |
Pacchetto / caso | ATPAK (2 leads+tab) |