ATP108-TL-H

MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
ATP108-TL-H P1
ATP108-TL-H P2
ATP108-TL-H P1
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ON Semiconductor ~ ATP108-TL-H

Numero di parte
ATP108-TL-H
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte ATP108-TL-H
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3850pF @ 20V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore ATPAK
Pacchetto / caso ATPAK (2 leads+tab)

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