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| Numero di parte | 5HN01C-TB-E |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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5HN01C-TB-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 | - | 0 | Dettagli |
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5HN01C-TB-EX | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 | 0 | Dettagli | |
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5HN01C-TB-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA SMD | - | 0 | Dettagli |
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5HN01M-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 | 0 | Dettagli | |
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5HN01M-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 | 0 | Dettagli | |
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5HN01S-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP3 | - | 0 | Dettagli |
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5HN01SS-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3 | - | 0 | Dettagli |
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5HN01SS-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 100MA SMD | - | 0 | Dettagli |