55GN01CA-TB-E

TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
55GN01CA-TB-E P1
55GN01CA-TB-E P1
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ON Semiconductor ~ 55GN01CA-TB-E

Numero di parte
55GN01CA-TB-E
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- 55GN01CA-TB-E PDF online browsing
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
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Numero di parte 55GN01CA-TB-E
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V
Frequenza - Transizione 4.5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.9dB @ 1GHz
Guadagno 9.5dB
Potenza - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 70mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore 3-CP

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