2SB817C-1E

TRANS PNP 140V 12A
2SB817C-1E P1
2SB817C-1E P1
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ON Semiconductor ~ 2SB817C-1E

Numero di parte
2SB817C-1E
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PNP 140V 12A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- 2SB817C-1E PDF online browsing
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
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Numero di parte 2SB817C-1E
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A
Corrente - Limite del collettore (max) 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 5V
Potenza - Max 120W
Frequenza - Transizione 10MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P-3L

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