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Numero di parte | 2N5460 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1mA @ 15V |
Scarico corrente (Id) - max | - |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 750mV @ 1µA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
Resistenza - RDS (On) | - |
Potenza - Max | 350mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 135°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |