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| Numero di parte | 2N5302G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 6A, 30A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 15A, 2V |
| Potenza - Max | 200W |
| Frequenza - Transizione | 2MHz |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Dettagli |
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2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Dettagli |
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2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5010 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6990 | Dettagli |
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2N5011 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 5951 | Dettagli |
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2N5012 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Dettagli |
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2N5012S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 21999 | Dettagli |
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2N5013 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Dettagli |
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2N5013S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 6364 | Dettagli |