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Numero di parte | PMPB16XN,115 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 775pF @ 15V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN2020MD (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |