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| Numero di parte | MMRF1013HR5 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Frequenza | 2.9GHz |
| Guadagno | 13.3dB |
| Voltaggio - Test | 30V |
| Valutazione attuale | - |
| Figura di rumore | - |
| Corrente - Test | 100mA |
| Potenza - Uscita | 320W |
| Tensione - Rated | 65V |
| Pacchetto / caso | SOT-979A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | NI-1230-4H |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MMRF1004GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2 | 0 | Dettagli | |
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MMRF1004NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 | 0 | Dettagli | |
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MMRF1005HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 | 0 | Dettagli | |
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MMRF1005HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S | 0 | Dettagli | |
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MMRF1006HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 | 50 | Dettagli | |
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MMRF1006HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S | 0 | Dettagli | |
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MMRF1007HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 | 0 | Dettagli | |
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MMRF1007HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S | 0 | Dettagli | |
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MMRF1008GHR5 | NXP USA Inc. | PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER | - | 287 | Dettagli |
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MMRF1008HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | 0 | Dettagli | |
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MMRF1008HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | 0 | Dettagli | |
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MMRF1009HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S | 0 | Dettagli |