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| Numero di parte | PSMN7R0-100ES,127 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6686pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 269W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN7R0-100ES,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V I2PAK | 920 | Dettagli | |
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PSMN7R0-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB | 2209 | Dettagli | |
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PSMN7R0-100XS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 55A TO220F | - | 0 | Dettagli |
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PSMN7R0-30MLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33 | 1500 | Dettagli | |
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PSMN7R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK | 13500 | Dettagli | |
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PSMN7R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK | 6000 | Dettagli | |
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PSMN7R0-40LS,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V QFN3333 | - | 0 | Dettagli |
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PSMN7R0-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK | 114000 | Dettagli | |
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PSMN7R5-25YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 56A LL LFPAK | - | 0 | Dettagli |
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PSMN7R5-30MLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33 | 0 | Dettagli | |
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PSMN7R5-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK | 6000 | Dettagli |