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| Numero di parte | PMZB370UNE,315 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 900mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.16nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN1006B (0.6x1) |
| Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PMZB300XN,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | - | 0 | Dettagli |
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PMZB320UPEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SOT883 | 0 | Dettagli | |
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PMZB350UPE,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN | 0 | Dettagli | |
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PMZB370UNE,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3 | 0 | Dettagli | |
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PMZB380XN,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN | - | 0 | Dettagli |
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PMZB390UNEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3 | 10000 | Dettagli |