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| Numero di parte | PMV450ENEAR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 101pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 323mW (Ta), 554mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 900mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PMV40UN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 | - | 0 | Dettagli |
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PMV40UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 | 36000 | Dettagli | |
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PMV42ENER | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO-236AB | 3000 | Dettagli | |
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PMV450ENEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 0 | Dettagli | |
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PMV45EN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23 | - | 0 | Dettagli |
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PMV45EN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT23 | 45000 | Dettagli | |
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PMV45EN2VL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB | - | 744266 | Dettagli |
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PMV48XP,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 | 21000 | Dettagli | |
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PMV48XP/MIR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V SOT23 | - | 6828 | Dettagli |
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PMV48XPAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 | 9000 | Dettagli | |
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PMV48XPVL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB | - | 858336 | Dettagli |