PMN35EN,125

MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
PMN35EN,125 P1
PMN35EN,125 P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMN35EN,125

Numero di parte
PMN35EN,125
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte PMN35EN,125
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 334pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 5.1A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
Pacchetto / caso SC-74, SOT-457

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