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| Numero di parte | PMGD280UN,115 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 870mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 20V |
| Potenza - Max | 400mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PMGD280UN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP | 69000 | Dettagli | |
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PMGD290UCEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP | 3000 | Dettagli | |
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PMGD290XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP | 27000 | Dettagli |