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Numero di parte | NX2301P,215 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 6V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta), 2.8W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4.5V |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |