BSS87,115

MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
BSS87,115 P1
BSS87,115 P1
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Nexperia USA Inc. ~ BSS87,115

Numero di parte
BSS87,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte BSS87,115
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 400mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 580mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 400mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-89-3
Pacchetto / caso TO-243AA

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