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| Numero di parte | BSS138AKAR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.51nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 47pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300mW (Ta), 1.06W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSS100 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 220MA TO92 | - | 19310 | Dettagli |
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BSS110 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 | - | 19310 | Dettagli |
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BSS119 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119 E7796 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119 E7978 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | 3000 | Dettagli | |
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BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | - | 0 | Dettagli |
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BSS123 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | - | 534000 | Dettagli |
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BSS123 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Dettagli |