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| Numero di parte | MXSMLJ11CA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | - |
| Canali bidirezionali | 1 |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 11V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 12.2V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 18.2V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 164.8A |
| Potenza - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | General Purpose |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MXSMBG100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG10A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG10AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG10CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG10CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG110AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG110CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MXSMBG110CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |