MXLSMCJLCE11AE3

TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB
MXLSMCJLCE11AE3 P1
MXLSMCJLCE11AE3 P2
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Microsemi Corporation ~ MXLSMCJLCE11AE3

Numero di parte
MXLSMCJLCE11AE3
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
TVS - Diodi
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Numero di parte MXLSMCJLCE11AE3
Stato parte Active
genere Zener
Canali unidirezionali 1
Canali bidirezionali -
Voltage - Reverse Standoff (Typ) 11V
Voltage - Breakdown (Min) 12.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp 18.2V
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) 82A
Potenza - Peak Pulse 1500W (1.5kW)
Protezione della linea di alimentazione No
applicazioni General Purpose
Capacità @ frequenza 100pF @ 1MHz
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMCJ)

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