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Numero di parte | MV2N5116 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
Scarico corrente (Id) - max | - |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6V @ 1nA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
Resistenza - RDS (On) | 100 Ohm |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 (TO-206AA) |