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| Numero di parte | MSMBJ6.0AE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | 1 |
| Canali bidirezionali | - |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 6V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 6.67V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 10.3V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 58.3A |
| Potenza - Peak Pulse | 600W |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | General Purpose |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MSMBG100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG10A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG10AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG10CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG10CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG110AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG110CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |
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MSMBG110CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Dettagli |