MS1001

TRANS RF BIPO 270W 20A M174
MS1001 P1
MS1001 P1
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Microsemi Corporation ~ MS1001

Numero di parte
MS1001
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 270W 20A M174
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
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Numero di parte MS1001
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 18V
Frequenza - Transizione 30MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 13dB
Potenza - Max 270W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 20A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso M174
Pacchetto dispositivo fornitore M174

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