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| Numero di parte | MASMCJ6.0CAE3/TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | - |
| Canali bidirezionali | 1 |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 6V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 6.67V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 10.3V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 145.6A |
| Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | General Purpose |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMCJ (DO-214AB) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MASMCJ100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB | - | 0 | Dettagli |
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MASMCJ100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB | - | 0 | Dettagli |
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MASMCJ100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB | - | 0 | Dettagli |
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MASMCJ100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB | - | 0 | Dettagli |
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MASMCJ10A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB | - | 0 | Dettagli |
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MASMCJ10A/TR | Microsemi Corporation | HI REL TVS | - | 11152 | Dettagli |
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MASMCJ10AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB | - | 0 | Dettagli |
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MASMCJ10CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB | - | 0 | Dettagli |
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MASMCJ10CA/TR | Microsemi Corporation | HI REL TVS | - | 9470 | Dettagli |
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MASMCJ10CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB | - | 0 | Dettagli |
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MASMCJ10CAE3/TR | Microsemi Corporation | HI REL TVS | - | 8806 | Dettagli |
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MASMCJ110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB | - | 0 | Dettagli |