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| Numero di parte | JANTXV1N6472 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | 1 |
| Canali bidirezionali | - |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 15V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 16.4V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 26.5V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 322A (8/20µs) |
| Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | General Purpose |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | G, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Dettagli |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Dettagli |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Dettagli |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Dettagli |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Dettagli |
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JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Dettagli |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |