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| Numero di parte | JANTXV1N5819UR-1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 45V |
| Capacità @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB (MELF, LL41) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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JANTXV1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
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JANTXV1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |