Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | JANTX1N5536B-1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
| Tolleranza | ±5% |
| Potenza - Max | 500mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 100 Ohm |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10nA @ 14.4V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AH (DO-35 Glass) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Dettagli |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Dettagli |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Dettagli |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Dettagli |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Dettagli |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Dettagli |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Dettagli |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Dettagli |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |