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| Numero di parte | JANSR2N3700UB |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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JANSR2N2221AUB | Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | - | 604 | Dettagli |
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JANSR2N2222AUB | Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | - | 807 | Dettagli |
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JANSR2N2369AUB | Microsemi Corporation | TRANS NPN 15V SMD | 3 | Dettagli | |
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JANSR2N2484UB | Microsemi Corporation | BJTS | - | 390 | Dettagli |
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JANSR2N2907AUB | Microsemi Corporation | BJTS | - | 715 | Dettagli |
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JANSR2N2920U | Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | - | 320 | Dettagli |
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JANSR2N3440 | Microsemi Corporation | RH POWER BJT | - | 333 | Dettagli |
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JANSR2N3501U4 | Microsemi Corporation | BJTS | - | 481 | Dettagli |
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JANSR2N3700UB | Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | - | 653 | Dettagli |
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JANSR2N3810U | Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | - | 334 | Dettagli |
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JANSR2N5152U3 | Microsemi Corporation | RH POWER BJT | - | 381 | Dettagli |
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JANSR2N5153 | Microsemi Corporation | RH POWER BJT | - | 851 | Dettagli |