Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | JAN1N5531C-1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
| Tolleranza | ±2% |
| Potenza - Max | 500mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 80 Ohm |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 9.9V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
|
JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
|
JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
 |
JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Dettagli |
|
JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
|
JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
|
JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
|
JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
|
JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
|
JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
|
JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
|
JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |