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Numero di parte | APTM10DHM05G |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 278A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 125A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 700nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 25V |
Potenza - Max | 780W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |