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| Numero di parte | APTGT200SK170D3G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 400A |
| Potenza - Max | 1250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 200A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 17nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | D-3 Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APTGT200A120D3G | Microsemi Corporation | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 | - | 0 | Dettagli |
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APTGT200A120G | Microsemi Corporation | POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 | - | 30 | Dettagli |
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APTGT200A170D3G | Microsemi Corporation | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 | - | 0 | Dettagli |
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APTGT200A602G | Microsemi Corporation | POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2 | - | 0 | Dettagli |
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APTGT200A60T3AG | Microsemi Corporation | IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 | - | 4 | Dettagli |
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APTGT200A60TG | Microsemi Corporation | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 | 0 | Dettagli | |
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APTGT200DA120D3G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 300A 1050W D3 | - | 0 | Dettagli |
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APTGT200DA120G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | - | 0 | Dettagli |
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APTGT200DA170D3G | Microsemi Corporation | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | - | 0 | Dettagli |
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APTGT200DA60T3AG | Microsemi Corporation | MOD IGBT 600V 290A SP3 | - | 0 | Dettagli |
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APTGT200DA60TG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 290A 625W SP4 | 0 | Dettagli | |
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APTGT200DH120G | Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | - | 0 | Dettagli |