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| Numero di parte | APTDC40H1201G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 40A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 40A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 1200V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APTDC10H601G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 10A 600V SP1 | 0 | Dettagli | |
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APTDC20H1201G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | - | 0 | Dettagli |
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APTDC20H601G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | - | 0 | Dettagli |
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APTDC40H1201G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | - | 0 | Dettagli |
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APTDC40H601G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | - | 0 | Dettagli |
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APTDC902U601G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | - | 0 | Dettagli |