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| Numero di parte | APT60S20SG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 75A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 60A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 55ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3 [S] |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | - | 4 | Dettagli |
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APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | - | 2 | Dettagli |
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APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | - | 3 | Dettagli |
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APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | - | 15579 | Dettagli |
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APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 15 | Dettagli |
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APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 25 | Dettagli |
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APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | - | 375 | Dettagli |
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APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | - | 0 | Dettagli |
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APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | - | 0 | Dettagli |