APT4M120K

MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
APT4M120K P1
APT4M120K P1
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Microsemi Corporation ~ APT4M120K

Numero di parte
APT4M120K
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte APT4M120K
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1385pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 225W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 [K]
Pacchetto / caso TO-220-3

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