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| Numero di parte | APT41M80B2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 43A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8070pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | - | 0 | Dettagli |
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APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | - | 0 | Dettagli |
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APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | - | 5 | Dettagli |
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APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | - | 0 | Dettagli |
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APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | 0 | Dettagli | |
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APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | - | 2905 | Dettagli |
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APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | 0 | Dettagli | |
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APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | - | 355 | Dettagli |
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APT40DQ60BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 | - | 255 | Dettagli |
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APT40DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 | - | 2581 | Dettagli |