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| Numero di parte | APT23F60B |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4415pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 415W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 11A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APT-CNOC | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NO COOL CEL 10A | - | 2002 | Dettagli |
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APT-CNOF | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NO COOL FAHRENH | - | 2002 | Dettagli |
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APT-HNCC | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NC HEAT CELSIUS | - | 2002 | Dettagli |
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APT-HNCF | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NC HEAT FAHRENH | - | 2002 | Dettagli |
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APT06DC60HJ | Microsemi Corporation | DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227 | 0 | Dettagli | |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Dettagli |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | Dettagli |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | Dettagli |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | Dettagli |