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| Numero di parte | 1N938B-1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.55V |
| Tolleranza | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N914 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | - | 599 | Dettagli |
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1N914-T50A | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 5726971 | Dettagli |
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1N914-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N914A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N914ATR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 20000 | Dettagli |
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1N914A_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N914B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 13981 | Dettagli |
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1N914B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 4786349 | Dettagli |
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1N914B,113 | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 | 0 | Dettagli | |
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1N914B-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N914BTR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 80000 | Dettagli |
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1N914BTR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 10847 | Dettagli |