1N6663US

DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
1N6663US P1
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Microsemi Corporation ~ 1N6663US

Numero di parte
1N6663US
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte 1N6663US
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corrente - Rettificato medio (Io) 500mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 400mA
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 50nA @ 600V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitore D-5A
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 175°C

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