1N6625US

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
1N6625US P1
1N6625US P1
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Microsemi Corporation ~ 1N6625US

Numero di parte
1N6625US
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte 1N6625US
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1100V
Corrente - Rettificato medio (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 1A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 1100V
Capacità @ Vr, F 10pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitore A-MELF
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 150°C

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