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Microsemi Corporation ~ 1N5356B

Numero di parte	1N5356B
Stato parte	Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	19V
Tolleranza	±5%
Potenza - Max	5W
Impedenza (Max) (Zzt)	3 Ohm
Corrente - Perdita inversa @ Vr	500nA @ 13.7V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 1A
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	T-18, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore	T-18

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
1N5059GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	-	8000	Dettagli
1N5059GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	-	0	Dettagli
1N5059TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57	-	0	Dettagli
1N5059TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57	-	0	Dettagli
1N5060 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A	-	0	Dettagli
1N5060GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	8000	Dettagli
1N5060GP-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Dettagli
1N5060GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Dettagli
1N5060GPHE3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Dettagli
1N5060TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57	-	0	Dettagli
1N5060TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57	-	20000	Dettagli
1N5061 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A	-	0	Dettagli