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Microsemi Corporation ~ 1N5280BE3

Numero di parte	1N5280BE3
Stato parte	Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	190V
Tolleranza	±5%
Potenza - Max	500mW
Impedenza (Max) (Zzt)	2.4 kOhms
Corrente - Perdita inversa @ Vr	100nA @ 144V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5V @ 200mA
temperatura di esercizio	-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-35 (DO-204AH)

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
1N5059GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	-	8000	Dettagli
1N5059GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	-	0	Dettagli
1N5059TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57	-	0	Dettagli
1N5059TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57	-	0	Dettagli
1N5060 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A	-	0	Dettagli
1N5060GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	8000	Dettagli
1N5060GP-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Dettagli
1N5060GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Dettagli
1N5060GPHE3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Dettagli
1N5060TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57	-	0	Dettagli
1N5060TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57	-	20000	Dettagli
1N5061 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A	-	0	Dettagli