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| Numero di parte | 1N5248BUR-1E3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
| Tolleranza | ±5% |
| Potenza - Max | 500mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 21 Ohms |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 14V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 200mA |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-213AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N5240A | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | - | 14781 | Dettagli |
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1N5240A (DO-35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | 0 | Dettagli | |
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1N5240B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | - | 2087 | Dettagli |
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1N5240B (DO-35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | 0 | Dettagli | |
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1N5240B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | - | 2375907 | Dettagli |
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1N5240B BK | Central Semiconductor Corp | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N5240B TR | Central Semiconductor Corp | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N5240B-T | Diodes Incorporated | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N5240B-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N5240B-TP | Micro Commercial Co | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N5240B-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | - | 30000 | Dettagli |
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1N5240BDO35 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | 0 | Dettagli |