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| Numero di parte | 1N4967US |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 24V |
| Tolleranza | ±5% |
| Potenza - Max | 5W |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 5 Ohm |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 18.2V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | E-MELF |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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1N4001 | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | - | 0 | Dettagli |
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1N4001 BK | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURPOSE DO41 | - | 0 | Dettagli |
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1N4001 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURPOSE DO41 | - | 0 | Dettagli |
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1N4001-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | - | 0 | Dettagli |
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1N4001-E3/53 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL | - | 0 | Dettagli |
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1N4001-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL | - | 16500 | Dettagli |
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1N4001-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL | - | 0 | Dettagli |
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1N4001-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | 65000 | Dettagli | |
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1N4001-N-0-1-BP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | - | 0 | Dettagli |
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1N4001-N-0-2-BP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | - | 0 | Dettagli |
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1N4001-N-0-3-AP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | - | 0 | Dettagli |
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1N4001-N-0-4-AP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | - | 0 | Dettagli |