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Microsemi Corporation ~ 1N2970B

Numero di parte	1N2970B
Stato parte	Obsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	6.8V
Tolleranza	±5%
Potenza - Max	10W
Impedenza (Max) (Zzt)	1.2 Ohm
Corrente - Perdita inversa @ Vr	150µA @ 5.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5V @ 2A
temperatura di esercizio	-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio	Chassis, Stud Mount
Pacchetto / caso	DO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-4

Numero di parte	Produttori	Descrizione	Disponibile	vista
1N2059	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 300V 250A DO205AB	0	Dettagli
1N2128A	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 50V 60A DO5	0	Dettagli
1N2128AR	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5	0	Dettagli
1N2129A	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 60A DO5	0	Dettagli
1N2129AR	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5	0	Dettagli
1N2130A	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 150V 60A DO5	0	Dettagli
1N2130AR	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5	299	Dettagli
1N2131A	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 200V 60A DO5	0	Dettagli
1N2131AR	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP REV 200V 60A DO5	99	Dettagli
1N2133A	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 300V 60A DO5	0	Dettagli
1N2133AR	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP REV 300V 60A DO5	0	Dettagli
1N2135A	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 400V 60A DO5	0	Dettagli