EDB8164B4PK-1D-F-R TR

IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA
EDB8164B4PK-1D-F-R TR P1
EDB8164B4PK-1D-F-R TR P1
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Micron Technology Inc. ~ EDB8164B4PK-1D-F-R TR

Numero di parte
EDB8164B4PK-1D-F-R TR
fabbricante
Micron Technology Inc.
Descrizione
IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Memoria
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Numero di parte EDB8164B4PK-1D-F-R TR
Stato parte Active
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria 8Gb (128M x 64)
Frequenza di clock 533MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.14V ~ 1.95V
temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 220-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 220-FBGA (14x14)

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