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| Numero di parte | IXTP06N120P |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 600mA (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.3nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 Ohm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXTP01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | - | 2685 | Dettagli |
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IXTP02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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IXTP02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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IXTP05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | 0 | Dettagli | |
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IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | - | 0 | Dettagli |
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IXTP06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 | 0 | Dettagli | |
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IXTP08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | - | 396 | Dettagli |
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IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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IXTP08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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IXTP08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB | 229 | Dettagli | |
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IXTP100N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 | - | 836 | Dettagli |