IXTH32P20T

MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
IXTH32P20T P1
IXTH32P20T P2
IXTH32P20T P1
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IXYS ~ IXTH32P20T

Numero di parte
IXTH32P20T
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXTH32P20T
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14500pF @ 25V
Vgs (massimo) ±15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 16A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)
Pacchetto / caso TO-247-3

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