IXTH2N170D2

MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
IXTH2N170D2 P1
IXTH2N170D2 P2
IXTH2N170D2 P1
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IXYS ~ IXTH2N170D2

Numero di parte
IXTH2N170D2
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXTH2N170D2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3650pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 1A, 0V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)
Pacchetto / caso TO-247-3

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