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| Numero di parte | IXTA08N100D2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Depletion Mode |
| Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXTA) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | - | 0 | Dettagli |
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IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | 0 | Dettagli | |
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IXTA02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 | - | 0 | Dettagli |
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IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | - | 29 | Dettagli |
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IXTA05N100HV | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 | - | 55 | Dettagli |
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IXTA06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | 550 | Dettagli | |
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IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | - | 107 | Dettagli |
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IXTA08N100D2HV | IXYS | MOSFET N-CH | - | 29271 | Dettagli |
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IXTA08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | - | 0 | Dettagli |
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IXTA08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 | - | 0 | Dettagli |
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IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK | 596 | Dettagli | |
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IXTA100N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 | - | 0 | Dettagli |