IXKC23N60C5

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
IXKC23N60C5 P1
IXKC23N60C5 P1
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IXYS ~ IXKC23N60C5

Numero di parte
IXKC23N60C5
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXKC23N60C5
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS220™
Pacchetto / caso ISOPLUS220™

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